买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885551U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520488210.3，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底，漂移层上设有第一凹槽以及第二凹槽；低阻区连接至漂移层；P型源区下部设于第二凹槽内，P型源区连接至低阻区；P型阱区连接至漂移层及P型源区；N型源区连接至P型阱区及P型源区；绝缘介质层下部设于第一凹槽内，绝缘介质层连接至P型阱区以及N型源区；绝缘介质层上设有第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；第一栅极金属层设于第一沟槽内；第二栅极金属层设于第二沟槽内；第一源极金属层设于第三沟槽内；第二源极金属层分别连接低阻区、P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底，通过对屏蔽栅结构的设计改进，降低了器件的导通电阻。

本实用新型一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有第一凹槽以及第二凹槽； 低阻区，所述低阻区下侧面连接至漂移层上侧面； P型源区，所述P型源区下部设于所述第二凹槽内，所述P型源区外侧面连接至所述低阻区内侧面； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型阱区外侧面连接至所述P型源区内侧面； N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区上侧面，所述N型源区外侧面连接至所述P型源区内侧面； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下部设于所述第一凹槽内，所述绝缘介质层外侧面连接至所述P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述绝缘介质层上设有第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽； 第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一沟槽内； 第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二沟槽内； 第一源极金属层，所述第一源极金属层设于所述第三沟槽内； 第二源极金属层，所述第二源极金属层分别连接所述低阻区、P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。