福建晶安光电有限公司洪嘉悦获国家专利权
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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利一种衬底及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885552U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423302679.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种衬底及半导体器件是由洪嘉悦;张佳浩;骆坚城;符桂青;黄日奎;曾柏翔;谢斌晖;杨胜裕设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衬底及半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种衬底及半导体器件。该衬底具有生长表面，所述生长表面的至少部分表面形成有外延生长区域；外延生长区域具有平整区、凸起区和凹陷区；平整区为位于外延生长区域上的水平表面；凸起区自平整区向远离衬底方向凸起，凹陷区自平整区向衬底内部凹陷；若干凸起区位于靠近外延生长区域的边缘；至少一个凹陷区相对于凸起区更靠近外延生长区域的中心。通过上述对衬底不同位置的凹陷区、凸起区进行设计，能够有效提高外延波长的均匀性。
本实用新型一种衬底及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种衬底，其特征在于：所述衬底具有生长表面，所述生长表面的至少部分表面形成有外延生长区域；所述外延生长区域具有平整区、凸起区和凹陷区；所述平整区为位于所述外延生长区域上的水平表面；所述凸起区自所述平整区向远离所述衬底方向凸起，所述凹陷区自所述平整区向所述衬底内部凹陷； 若干所述凸起区位于靠近所述外延生长区域的边缘；至少一个凹陷区相对于所述凸起区更靠近所述外延生长区域的中心。
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