台湾积体电路制造股份有限公司黄冠达获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885557U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520288468.9，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由黄冠达;许育荣;林立德设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体装置，具有隔离结构，半导体装置包括：基板；第一纳米结构通道区，设置在基板上；第一栅极结构，围绕第一纳米结构通道区；第二纳米结构通道区，设置在基板上；第二栅极结构，围绕第二纳米结构通道区；隔离结构，设置在第一纳米结构通道区与第二纳米结构通道区之间；第一保护氧化层，设置在第一纳米结构通道区与隔离结构之间；以及第二保护氧化层，设置在第二纳米结构通道区与隔离结构之间。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板； 一第一纳米结构通道区，设置在该基板上； 一第一栅极结构，围绕该第一纳米结构通道区； 一第二纳米结构通道区，设置在该基板上； 一第二栅极结构，围绕该第二纳米结构通道区； 一隔离结构，设置在该第一纳米结构通道区与该第二纳米结构通道区之间； 一第一保护氧化层，设置在该第一纳米结构通道区与该隔离结构之间；以及 一第二保护氧化层，设置在该第二纳米结构通道区与该隔离结构之间。
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