徐州致能半导体有限公司;广东致能半导体有限公司刘泰获国家专利权
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龙图腾网获悉徐州致能半导体有限公司;广东致能半导体有限公司申请的专利一种氮化镓级联器件的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885633U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520189266.9，技术领域涉及：H10W70/40；该实用新型一种氮化镓级联器件的封装结构是由刘泰;朱洪耀;梁壮;黎子兰设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓级联器件的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种氮化镓级联器件的封装结构，所述封装结构包括：封装框架、氮化镓芯片、低压增强芯片以及塑封体，所述封装框架包括用于贴装芯片的基岛、器件栅极区、器件漏极区和器件源极区；所述氮化镓芯片和所述低压增强芯片贴装在封装框架的基岛上；所述氮化镓芯片为原始氮化镓芯片或对原始氮化镓芯片进行电极位置转移后得到的芯片，所述低压增强芯片为原始低压增强芯片或对原始低压增强芯片进行电极位置转移后得到的芯片。本实用新型降低了生产成本，简化了氮化镓级联器件的封装工艺流程，提升了器件的性能和可靠性。
本实用新型一种氮化镓级联器件的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓级联器件的封装结构，其特征在于，包括： 封装框架，所述封装框架包括用于贴装芯片的基岛、器件栅极区、器件漏极区和器件源极区； 氮化镓芯片； 低压增强芯片；以及 塑封体； 其中，所述氮化镓芯片和所述低压增强芯片贴装在封装框架的基岛上；所述氮化镓芯片为原始氮化镓芯片或对原始氮化镓芯片进行电极位置转移后得到的芯片，所述低压增强芯片为原始低压增强芯片或对原始低压增强芯片进行电极位置转移后得到的芯片； 所述氮化镓芯片的漏极和封装框架的器件漏极区电连接；所述氮化镓芯片的栅极、所述低压增强芯片的源极分别和封装框架的器件源极区电连接；所述低压增强芯片的栅极和封装框架的器件栅极区电连接；所述氮化镓芯片的源极和所述低压增强芯片的漏极电连接。
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