江苏芯德半导体科技股份有限公司陈晗玥获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223885636U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520158787.8，技术领域涉及：H10W70/652；该实用新型一种芯片封装结构是由陈晗玥设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种芯片封装结构，其包括基板，基板包括线路段和柔性段，用于贴装芯片；至少一层预制的硅片线路板，贴装于基板线路段的正面；硅片线路板包括硅片和设于硅片正面的重布线层，硅片设有多个纵向的TSV通孔，硅片背面边缘处设有多个水平铜柱，水平铜柱通过TSV通孔与重布线层连接，硅片背面的TSV通孔端部设有导电凸块；在硅片线路板的重布线层表面贴装第一芯片，在基板的柔性段贴装第二芯片后，将柔性段向硅片线路板方向折弯，第二芯片和水平铜柱连接。本实用新型中硅片线路板正面、侧面都有IO接口，便于用来贴装芯片，结构简单；这就降低了芯片垂直堆叠带来的封装难度，也便于测试、故障隔离定位，还容易散热。
本实用新型一种芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板包括线路段和柔性段，用于贴装芯片； 至少一层预制的硅片线路板，贴装于基板线路段的正面；所述硅片线路板包括硅片和设于硅片正面的重布线层，所述硅片设有多个纵向的TSV通孔，所述硅片背面边缘处设有多个水平铜柱，所述水平铜柱通过TSV通孔与重布线层连接，所述硅片背面的TSV通孔端部设有导电凸块； 其中，在硅片线路板的重布线层表面贴装第一芯片，在基板的柔性段贴装第二芯片后，将柔性段向硅片线路板方向折弯，第二芯片和水平铜柱连接。
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