三星电子株式会社金成吉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010836465.6，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权三维半导体装置及其制造方法是由金成吉;金成珍;金智美;金廷奂;金赞炯设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种三维半导体装置，包括：导电层，其位于衬底上并且包括第一导电类型的杂质；基体层，其位于导电层上；堆叠件，其包括下绝缘膜以及位于下绝缘膜上的栅电极和模制绝缘层，其中，基体层包括高介电材料；竖直结构，其包括穿过堆叠结构的竖直沟道层和设置在竖直沟道层与多个栅电极之间的竖直绝缘层，竖直结构在绝缘基体层中具有在宽度方向上延伸的延伸区域；以及隔离结构，其穿过堆叠结构、绝缘基体层和导电层，并且在与衬底的上表面平行的方向上延伸，其中，导电层具有延伸部分，延伸部分在竖直结构的延伸区域中沿着竖直沟道层的表面延伸。
本发明授权三维半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体装置，包括： 导电层，其设置在衬底上，并且包括第一导电类型的杂质； 绝缘基体层，其设置在所述导电层上； 堆叠结构，其包括设置在所述绝缘基体层上的下绝缘膜以及交替地堆叠在所述下绝缘膜上的多个栅电极和多个模制绝缘层，其中，所述绝缘基体层包括高介电材料； 竖直结构，其包括穿过所述堆叠结构的竖直沟道层和设置在所述竖直沟道层与所述多个栅电极之间的竖直绝缘层，所述竖直结构在所述绝缘基体层中具有在宽度方向上延伸的延伸区域；以及 隔离结构，其穿过所述堆叠结构、所述绝缘基体层和所述导电层，并且在与所述衬底的上表面平行的方向上延伸， 其中，所述导电层具有延伸部分，所述延伸部分在所述竖直结构的延伸区域中接触所述竖直沟道层的底部并且从所述竖直沟道层的底部沿着所述竖直沟道层的表面延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励