三星电子株式会社宋承砇获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010802422.6，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权存储装置是由宋承砇;高秉贤;权容真;金江旻;申载勋;申重植;安圣洙;李承桓设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置在说明书摘要公布了：提供了一种存储装置。所述存储装置包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层。
本发明授权存储装置在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，包括： 衬底； 堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向在所述衬底上交替堆叠的多个栅极层和多个层间绝缘层，所述堆叠结构包括成行的切口，每个所述切口沿第一水平方向延伸并且被配置为分割所述多个栅极层，所述切口彼此分开并且在所述堆叠结构的单元区域中沿所述第一水平方向布置；以及 成行的沟道结构，所述沟道结构在所述单元区域中沿所述第一水平方向布置，每个所述沟道结构在所述垂直方向上延伸以穿透所述多个栅极层， 其中，在相对于所述衬底的第一高度处的截面图中，所述成行的切口中的至少一个切口的端部在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上的最大宽度大于所述至少一个切口的中部在所述第二水平方向上的最大宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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