晶元光电股份有限公司曾彦钧获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利半导体元件及包含其的半导体组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011221816.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权半导体元件及包含其的半导体组件是由曾彦钧;黄国峰;颜世男;李世昌;金明达;江政兴;林家弘;叶振隆;李宜青;宋濬哲;郑士濠设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及包含其的半导体组件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及包含其的半导体组件。该半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及活性区。第一半导体结构包含第一掺质。第二半导体结构位于第一半导体结构上且包含不同于第一掺质的第二掺质。活性区位于第一半导体结构与第二半导体结构之间且包含第一掺质。此半导体元件于J_EmaxmaxAcm22的电流密度下具有一最大外部量子效率Emaxmax％，且于0.001×J_EmaxmaxAcm22的电流密度下，该半导体元件具有Emaxmax％的15％以上的外部量子效率。
本发明授权半导体元件及包含其的半导体组件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括： 第一半导体结构，包含第一掺质； 第二半导体结构，位于该第一半导体结构上且包含该第一掺质以及不同于该第一掺质的第二掺质；以及 活性区，位于该第一半导体结构与该第二半导体结构之间且包含多对半导体叠层，各该半导体叠层包含阻障层以及阱层，且该活性区包含该第一掺质； 其中，该第一半导体结构还包含不同于该第一掺质及该第二掺质的第三掺质，该活性区不包含N，且该第一掺质于该第一半导体结构中的掺杂浓度高于该第一掺质于该活性区中的掺杂浓度。
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