长江存储科技有限责任公司张权获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制造方法、三维存储装置、以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113892177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003571.9，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权半导体器件及其制造方法、三维存储装置、以及存储系统是由张权;姚兰;周璐设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、三维存储装置、以及存储系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、三维存储装置、以及存储系统，半导体器件包括：衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域形成有凹槽；分别位于第一区域和第二区域的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构；位于凹槽上的第一栅氧化层和位于第二区域及第二浅沟槽隔离结构上的第二栅氧化层。
本发明授权半导体器件及其制造方法、三维存储装置、以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其中，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 在所述第一区域上形成凹槽； 形成位于所述第一区域的第一氧化层与位于所述第二区域的第二氧化层，以在所述凹槽上形成第一栅氧化层； 形成位于所述第一氧化层与所述第二氧化层上的第一掩膜层； 在所述第一区域和第二区域上分别形成第一浅沟槽隔离结构与第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构在第一方向上的高度大于所述第二浅沟槽隔离结构在所述第一方向上的高度，所述第一浅沟槽隔离结构贯穿所述第一掩膜层和所述第一栅氧化层； 去除所述第一掩膜层； 形成位于所述第二区域及所述第二浅沟槽隔离结构上的第二栅氧化层； 形成所述第二栅氧化层之后，在所述第一栅氧化层的表面形成第一栅极层，且所述第一浅沟槽隔离结构贯穿所述第一栅极层。
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