中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010728328.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法和电子设备是由郭炳容;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法和电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制造方法和电子设备，涉及半导体技术领域，以解决隔断区域和外围区域交界处产生底切的问题。所述半导体器件包括：基底，具有单元区域、外围区域以及位于单元区域和外围区域之间的隔断区域；分别形成在基底上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管位于单元区域，第二晶体管位于外围区域；缓冲层，形成在第一晶体管上，缓冲层覆盖单元区域和隔断区域；第二晶体管的栅堆叠覆盖缓冲层在隔断区域的位置和外围区域；以及与第一晶体管的有源区电连接的位线，位线形成在缓冲层上。所述半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。本发明提供的半导体器件用于电子设备。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，具有单元区域、外围区域以及位于所述单元区域和所述外围区域之间的隔断区域； 分别形成在所述基底上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管位于所述单元区域，所述第二晶体管位于所述外围区域； 缓冲层，形成在所述第一晶体管上，所述缓冲层覆盖所述单元区域和所述隔断区域；所述第二晶体管的栅堆叠覆盖所述缓冲层在所述隔断区域的位置和所述外围区域； 以及与所述第一晶体管的有源区电连接的位线，所述位线形成在所述缓冲层上。
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