台湾积体电路制造股份有限公司程仲良获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899569U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520162059.4，技术领域涉及：H10B63/00；该实用新型记忆体装置是由程仲良;廖诗瑀设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体装置在说明书摘要公布了：一种记忆体装置包括：一装置层；以及在装置层上的互连结构，互连结构包括电阻式随机存取记忆体RRAM装置。电阻式随机存取记忆体装置包括：高于装置层的电极层；在电极层上的氧化物半导体层；围绕氧化物半导体层的栅极结构；在栅极结构上的绝缘层；和电阻器。电阻器包括：在氧化物半导体层上的底部电极；在底部电极上的介电层；和在介电层上的顶部电极。
本实用新型记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种记忆体装置，其特征在于，包含： 一装置层；以及 一互连结构，在该装置层上，该互连结构包括一电阻式随机存取记忆体装置，该电阻式随机存取记忆体装置包括： 一电极层，高于该装置层； 一氧化物半导体层，在该电极层上； 一栅极结构，围绕该氧化物半导体层； 一绝缘层，在该栅极结构上；和 一电阻器，包括： 一底部电极，在该氧化物半导体层上； 一介电层，在该底部电极上；和 一顶部电极，在该介电层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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