江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司刘辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899572U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423320493.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种半导体器件是由刘辉;朱阳军;邓小社;吴凯;张广银;杨飞设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件，包括第一导电类型半导体层、元胞区域及源极金属。元胞区域位于第一导电类型半导体层中且包括多个元胞。元胞包括沟槽栅、第二导电类型接地屏蔽区、肖特基区及源极区。沟槽栅包括沟槽及栅电极，栅电极包括第一延伸部及第二延伸部，第一延伸部填充于沟槽中，第二延伸部自第一延伸部延伸至源极区上方。第二导电类型接地屏蔽区包覆沟槽的一侧及底部的至少一部分。肖特基区位于第二导电类型接地屏蔽区远离沟槽的一侧。源极区与沟槽远离第二导电类型接地屏蔽区的一侧邻接。源极金属与第二导电类型接地屏蔽区及源极区均电性连接且与肖特基区具有肖特基接触。该半导体器件具有高可靠性及低开关损耗。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一导电类型半导体层； 元胞区域，位于所述第一导电类型半导体层中，所述元胞区域包括多个元胞，所述元胞包括沟槽栅、第二导电类型接地屏蔽区、肖特基区及源极区；其中， 所述沟槽栅包括沟槽及栅电极，所述栅电极包括第一延伸部及第二延伸部，所述第一延伸部填充于所述沟槽中，所述第二延伸部自所述第一延伸部延伸至所述源极区上方； 所述第二导电类型接地屏蔽区包覆所述沟槽的一侧及所述沟槽的底部的至少一部分； 所述肖特基区位于所述第二导电类型接地屏蔽区远离所述沟槽的一侧； 所述源极区与所述沟槽远离所述第二导电类型接地屏蔽区的一侧邻接； 源极金属，位于所述第一导电类型半导体层上方，所述源极金属与所述第二导电类型接地屏蔽区及所述源极区均电性连接，且所述源极金属与所述肖特基区具有肖特基接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市江宁开发区苏源大道62号1106-3室(江宁开发区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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