深圳市时代速信科技有限公司林坤获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市时代速信科技有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899699U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520468560.3，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型半导体器件是由林坤;阮德红;曾耿豪设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、电极层和热致发光层，半导体外延层设置在衬底上；电极层设置在半导体外延层远离衬底的一侧，电极层包括源极、漏极、栅极、栅极打线垫和漏极打线垫；热致发光层设置在半导体外延层远离衬底一侧，热致发光层至少覆盖沟道区，并露出栅极打线垫和漏极打线垫，被配置为吸收沟道区产生的热量并以发光的形式耗散。相较于现有技术，本实用新型实施例提供的半导体器件，通过额外设计热致发光层，该热致发光层能够受热发光，从而能够将沟道区产生的热量吸收并以发光的形式耗散，能够提升散热效果，降低芯片结温，保持漏极的效率。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底110； 设置在所述衬底110上的半导体外延层120； 设置在所述半导体外延层120远离所述衬底110一侧的电极层130，所述电极层130包括源极131、漏极132、栅极133、栅极打线垫134和漏极打线垫135，所述源极131、所述栅极133和所述漏极132依次设置在所述半导体外延层120上，所述源极131和所述漏极132之间的所述半导体外延层120形成沟道区121，所述栅极打线垫134与所述栅极133连接，所述漏极打线垫135与所述漏极132连接； 设置在所述半导体外延层120远离所述衬底110一侧的热致发光层140，所述热致发光层140至少覆盖所述沟道区121，并露出所述栅极打线垫134和所述漏极打线垫135，被配置为吸收所述沟道区121产生的热量并以发光的形式耗散。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市时代速信科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层(深装总大厦A座3楼318-320)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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