北京怀柔实验室李翠获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体结构和半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899700U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520456402.6，技术领域涉及：H10W40/25；该实用新型半导体结构和半导体器件是由李翠;金锐;和峰;汪久龙;李哲洋;于乐;聂瑞芬;解建芳设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面；外延层，位于第一表面上，第一外延层在背离衬底的一侧具有第三表面；元胞区，位于外延层中靠近第三表面的部分；终端区，位于外延层中靠近第三表面的部分，终端区在第三表面上围绕元胞区；终端区在第一表面上的投影为第一区域，导热层，位于部分的第二表面上，导热层在第一表面上的投影至少位于部分的第一区域中，导热层的热导率大于衬底的热导率。本申请改善了现有技术中芯片的散热能力较差导致高温区域在芯片中心集中的问题。
本实用新型半导体结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括相对的第一表面和第二表面； 外延层，位于所述第一表面上，所述外延层在背离所述衬底的一侧具有第三表面； 元胞区，位于所述外延层中靠近所述第三表面的部分； 终端区，位于所述外延层中靠近所述第三表面的部分，所述终端区在所述第三表面上围绕所述元胞区，所述终端区在所述第一表面上的投影为第一区域； 导热层，位于部分的所述第二表面上，所述导热层在所述第一表面上的投影至少位于部分的所述第一区域中，所述导热层的热导率大于所述衬底的热导率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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