台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899707U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423284727.5，技术领域涉及：H10W70/63；该实用新型半导体装置及记忆体装置是由廖诗瑀;程仲良设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及记忆体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置及记忆体装置，半导体装置包括：基板，且基板具有形成于基板上的逻辑装置；多个金属布线层，设置于基板上方，且金属布线层通过金属布线连接至逻辑装置；以及多个多次可编程非挥发性记忆体单元，形成于金属布线层之间，且多次可编程非挥发性记忆体单元包括具有鳍结构的鳍式场效晶体管、设置在鳍结构的多个通道区周围的储存栅极及形成在储存栅极的多个侧壁周围的控制栅极。
本实用新型半导体装置及记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板，其中该基板具有形成于该基板上的一逻辑装置； 多个金属布线层，设置于该基板上方，其中所述多个金属布线层通过金属布线连接至该逻辑装置；以及 多个多次可编程非挥发性记忆体单元，形成于所述多个金属布线层之间，其中所述多个多次可编程非挥发性记忆体单元包括具有一鳍结构的一鳍式场效晶体管、设置在该鳍结构的多个通道区周围的一储存栅极及形成在该储存栅极的多个侧壁周围的一控制栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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