长沙安牧泉智能科技有限公司李梓玉获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙安牧泉智能科技有限公司申请的专利一种2.2D封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899710U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520141154.6，技术领域涉及：H10W70/65；该实用新型一种2.2D封装结构是由李梓玉;李雪;蔡信达;戴俏波;刘振;钱新;滕晓东设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种2.2D封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种2.2D封装结构，包括基板、RDL层、第一芯片、第二芯片以及互连桥；所述基板中集成有互连线路，所述RDL层局部封装在所述基板的上表面，以实现所述基板与所述第一芯片或所述第二芯片的纵向高密度互连；所述互连桥设置在所述基板上表面的非RDL层区域，且通过黏附胶与所述基板固定，所述互连桥上设置有多个键合点并与所述第一芯片以及所述第二芯片键合，所述互连桥内集成有横向互连的高密度细间距线路。本实用新型提供的上述RDL层与互连桥组合的方案，提供了更高的设计灵活性，允许根据具体的应用需求选择合适的芯片组合，可以根据性能、功耗和成本等因素进行权衡和优化，相比于2.5D封装来说工艺更加简单，成本也更为可控。
本实用新型一种2.2D封装结构在权利要求书中公布了：1.一种2.2D封装结构，其特征在于，包括基板、RDL层、第一芯片、第二芯片以及互连桥；所述基板中集成有互连线路，所述RDL层局部封装在所述基板的上表面，以实现所述基板与所述第一芯片或所述第二芯片的纵向高密度互连；所述互连桥设置在所述基板上表面的非RDL层区域，且通过黏附胶与所述基板固定，所述互连桥上设置有多个键合点并与所述第一芯片以及所述第二芯片键合，所述互连桥内集成有横向互连的高密度细间距线路。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长沙安牧泉智能科技有限公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区岳麓西大道1698号麓谷高层次人才创新创业园C栋二楼东；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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