中国人民解放军国防科技大学王洪磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种电泳沉积工艺结合PIP工艺制备双层结构包壳管的方法和一种双层结构包壳管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118711849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410740223.5，技术领域涉及：G21C3/07；该发明授权一种电泳沉积工艺结合PIP工艺制备双层结构包壳管的方法和一种双层结构包壳管是由王洪磊;余金山;周新贵;杨蕊设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电泳沉积工艺结合PIP工艺制备双层结构包壳管的方法和一种双层结构包壳管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电泳沉积工艺结合PIP工艺制备双层结构包壳管的方法和一种双层结构包壳管。采用本方法一方面解决了锆合金单独作为包壳材料时高温遇水爆炸、不耐辐照，以及SiCffSiC复合材料单独作为包壳材料时自身难以连接、孔隙多的问题，另一方面通过锆合金管为电极简化电泳沉积工艺，降低制备成本。
本发明授权一种电泳沉积工艺结合PIP工艺制备双层结构包壳管的方法和一种双层结构包壳管在权利要求书中公布了：1.一种电泳沉积工艺结合PIP工艺制备双层结构包壳管的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将SiC纤维束紧密缠绕于锆合金管件上，形成包壳管预制件，其中所述SiC纤维为KD‑S类型的SiC纤维，纤维的缠绕角度为30~75°； S2、采用粒径为30nm的SiC粉体配制质量分数为55%的SiC浆料； S3、准备内径为30mm、70mm或110mm的筒形石墨电极，所述筒形石墨电极的长度不小于包壳管预制件的长度； S4、将包壳管预制件的锆合金部分连接电泳仪的正极，筒形石墨电极连接电泳仪的负极，然后将二者浸入SiC浆料中，在电流10mA、电压10V的条件下电泳10min； S5、将电泳沉积后得到的包壳管放入干燥箱，在120℃条件下固化6h； S6、采用液态聚碳硅烷对固化后得到的包壳管进行真空浸渍，浸渍时间8h； S7、将真空浸渍后得到的包壳管进行高温裂解，裂解气氛为Ar，裂解温度为1200℃，升温速率为10℃min，保温2h； S8、循环浸渍‑裂解15次，得到SiCfSiC复合材料包壳管。
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