深圳市矩阵多元科技有限公司胡小波获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市矩阵多元科技有限公司申请的专利一种提高种子层附着力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410791642.1，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权一种提高种子层附着力的方法是由胡小波;张晓军;夏慧;谢明辉;冯俊杰设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高种子层附着力的方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，提供了一种提高种子层附着力的方法。本发明在完成开通孔的基板上，先沉积第一Ti层，然后用plasma轰击基板，将与基板接触的部分Ti层的原子嵌入到基板内，形成合金层，作为粘附力增强层，接着再沉积TiCu种子层，如此可以提高基板和TiCu种子层、通孔侧壁和TiCu种子层之间的附着力，再在Cu层表面制作电镀光阻层，在电镀光阻层的图案间隙处沉积Cu层，形成Cu柱，将电镀光阻层剥离，将电镀光阻原本所在位置的Cu层、TiCu种子层、第一Ti层、合金层刻蚀除去，最后完成种子层的制作。
本发明授权一种提高种子层附着力的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高种子层附着力的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1取基板，开通孔； 2在基板表面沉积第一Ti层； 3在第一Ti层表面进行plasma处理，形成TiSi层； 4在第一Ti层表面沉积TiCu种子层； 5在TiCu种子层表面制作电镀光阻层； 6接着在电镀光阻层的图案的间隙处电镀沉积Cu，至通孔填满Cu且电镀光阻层的图案未沉积Cu时则停止沉积，形成Cu柱； 7将电镀光阻层剥离； 8置于刻蚀液中进行刻蚀，当电镀光阻原本所在位置的Cu层、TiCu种子层、第一Ti层、TiSi层被刻蚀除去且Cu柱被保留时，停止刻蚀； 步骤3中，所述plasma处理为Xe plasma处理或Kr plasma处理； 步骤4中，所述TiCu种子层包括第二Ti层和Cu层。
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