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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利磁流变抛光多面共体元件一体加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121315771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511885649.0，技术领域涉及：B24B13/00；该发明授权磁流变抛光多面共体元件一体加工方法是由李龙响;张晋铭;刘夕铭;程润木;张峰;张学军设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁流变抛光多面共体元件一体加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光学加工技术领域，尤其涉及一种磁流变抛光多面共体元件一体加工方法，包括：S1、按纵坐标突变点分解已知实际光栅式轨迹为行坐标；S2、依过渡点圆直径拆分每行轨迹为主体镜第一、从体镜、主体镜第二轨迹片段；S3、据磁流变设备去除函数长度确定过渡点延伸长度；S4‑S5分别延伸主体镜、从体镜轨迹片段并插入新点；S6、利用对应表面方程算各片段z坐标得三维坐标；S7、拼接生成单行有序点序列；S8、组合所有行轨迹并旋转‑θθ角度得最终轨迹。通过上述方案，解决了多面共体元件分段加工冗余时间长、效率低，且过渡区接缝未精准加工，导致光学元件过渡区留边范围过大、有效口径减小，影响光学系统成像质量的问题。

本发明授权磁流变抛光多面共体元件一体加工方法在权利要求书中公布了：1.一种磁流变抛光多面共体元件一体加工方法，多面共体元件包括：沿同一连续过渡区平滑衔接的主体镜与从体镜，其特征在于，包括以下步骤： S1、对已知实际光栅式轨迹，依据所述光栅式轨迹的纵坐标突变点位置对行进行分解，获得按行排列的二维轨迹； S2、根据待加工的多面共体元件设计中过渡点所在圆直径参数，将步骤S1中分解所得的每行二维轨迹坐标分别分解为主体镜范围内的第一轨迹片段、从体镜范围内的轨迹片段以及主体镜范围内的第二轨迹片段； S3、根据加工所使用磁流变抛光设备的去除函数长度，确定所述第一轨迹片段、所述从体镜范围内的轨迹片段以及所述第二轨迹片段在过渡点处需延伸的长度，保证所述长度大于所述去除函数长度； S4、从所述第一轨迹片段靠近所述从体镜的截断点A处向所述从体镜方向延伸长度，在延伸末端插入第一新点；从所述第二轨迹片段靠近从体镜的截断点B处向从体镜方向延伸长度，在延伸末端插入第二新点；所述第一新点、所述第二新点的驻留时间，分别定义为所述第一轨迹片段、第二轨迹片段上距离对应新点最近点处的驻留时间，截断点A、B的坐标是通过主体镜和从体镜的接缝与相应行已知实际光栅式轨迹相交的两点坐标，驻留时间指的是磁流变抛光设备的抛光轮在该新点的停留时间； S5、从所述从体镜范围内的轨迹片段靠近所述主体镜的两侧截断点A、截断点B处分别向所述主体镜方向延伸长度，在延伸末端依次插入第三新点、第四新点；所述第三新点、所述第四新点的驻留时间，分别定义为所述从体镜范围内的轨迹片段上距离对应新点最近点处的驻留时间； S6、获取主体镜表面方程与从体镜表面方程，并利用主体镜表面方程计算步骤S4处理后的所述第一轨迹片段和所述第二轨迹片段中各点的z坐标；利用从体镜表面方程计算步骤S5处理后的所述从体镜范围内的轨迹片段中各点的z坐标，从而获取所述第一轨迹片段、所述第二轨迹片段和所述从体镜范围内的轨迹片段中全部轨迹点完整的三维坐标； S7、将步骤S6处理后的所述第一轨迹片段、所述从体镜范围内的轨迹片段、所述第二轨迹片段按顺序拼接，生成单行轨迹的有序点序列； S8、对步骤S1分解所得的所有实际光栅式轨迹的行均执行步骤S2至S7的操作，再按抛光设备行进方向顺序组合所有行轨迹，最后将组合后的具备完整三维坐标的全部轨迹点，通过二维旋转矩阵旋转角度，得到最终完整加工轨迹，其中，为实际光栅式轨迹的旋转角度。

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