麦斯克电子材料股份有限公司武钰栋获国家专利权
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龙图腾网获悉麦斯克电子材料股份有限公司申请的专利一种用于大尺寸外延硅片生产的预热环获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223906994U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520570530.3，技术领域涉及：C30B25/10；该实用新型一种用于大尺寸外延硅片生产的预热环是由武钰栋;张艺杰;贾豪强;韩云霄设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于大尺寸外延硅片生产的预热环在说明书摘要公布了：一种用于大尺寸外延硅片生产的预热环，属于硅产品制作技术领域，包括环形主体，所述环形主体包括与反应腔室内的反应气体接触的上表面和与外延生产设备承载面贴合的下表面，所述下表面的外边缘向远离下表面方向延伸设有环形凸台，所述上表面由斜面和水平面拼接形成，水平面位于上表面内侧，斜面位于上表面外侧，所述斜面沿其径向由内向外且向下倾斜，斜面的最高端与水平面齐平；所述上表面与外延生产设备的进气孔对应的区域为导流区，所述导流区具有多个开设在水平面上的凹槽，且凹槽以径向延伸贯穿水平面。这样的设计使反应气体在环形主体边缘顺利流通，提高了工艺稳定性。
本实用新型一种用于大尺寸外延硅片生产的预热环在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸外延硅片生产的预热环，包括环形主体1，所述环形主体1包括与反应腔室内的反应气体接触的上表面101和与外延生产设备承载面贴合的下表面102，所述下表面102的外边缘向远离下表面102方向延伸设有环形凸台2，其特征在于：所述上表面101由斜面1011和水平面1012拼接形成，水平面1012位于上表面101内侧，斜面1011位于上表面101外侧，所述斜面1011沿其径向由内向外且向下倾斜，斜面1011的最高端与水平面1012齐平；所述上表面101与外延生产设备的进气孔对应的区域为导流区103，所述导流区103具有多个开设在水平面1012上的凹槽3，且凹槽3以径向延伸贯穿水平面1012。
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