化合积电(厦门)半导体科技有限公司胡荣昕获国家专利权
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龙图腾网获悉化合积电(厦门)半导体科技有限公司申请的专利一种适用于高功率密度电子束的金刚石基金属靶获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223911625U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423259978.8，技术领域涉及：H01J35/08；该实用新型一种适用于高功率密度电子束的金刚石基金属靶是由胡荣昕;张星设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于高功率密度电子束的金刚石基金属靶在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种适用于高功率密度电子束的金刚石基金属靶，包括金刚石基座和金属层，金属层设于金刚石基座的一表面，金属层至少设有一层，金属层为熔点高、蒸气压低及原子序数高的金属。本申请将基材换成金刚石材料与金属靶材结合使用，金刚石材料的热导率≥2200WmK更有利于靶面在高密度下电子束工作的散热，X射线产生效率更高，提高靶面的使用寿命。相对于在铍片上金属膜的使用寿命，使用金刚石上的金属膜使用寿命得到数倍的延长；相对原来可以使用的电子束功率密度得到提升，使得成像更加清晰。该产品结构简单、导热散热效果后、射线激发效率高、稳定性好、使用寿命长，有利于推广应用。
本实用新型一种适用于高功率密度电子束的金刚石基金属靶在权利要求书中公布了：1.一种适用于高功率密度电子束的金刚石基金属靶，其特征在于，包括金刚石基座和金属层，所述金属层设于金刚石基座的一表面，所述金属层至少设有一层；所述金属层为钨层、铜层、铝层或金层；所述金刚石基座设有铜支架，所述金刚石基座焊接于铜支架上；所述铜支架表面设有冷却槽、进水口和出水口，所述冷却槽的口径小于金刚石基座的口径，所述金刚石基座焊接于冷却槽的槽口，所述进水口和出水口与冷却槽连通；所述金刚石基座至少与冷却槽的槽口连接区域设有抛光层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人化合积电(厦门)半导体科技有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市软件园三期诚毅北大街56号402-17室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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