安徽格恩半导体有限公司蓝家彬获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种GaN基激光二极管结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912058U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520570617.0，技术领域涉及：H01S5/042；该实用新型一种GaN基激光二极管结构是由蓝家彬;郑锦坚;陈婉君;蔡鑫;黄军;张会康;胡志勇;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基激光二极管结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种GaN基激光二极管结构，包括GaN衬底，衬底上生长外延层，外延层包括从下至上依次设置的下覆盖层、下波导层、量子阱、上波导层、电子阻挡层、上覆盖层和外延接触层；外延层上设有欧姆接触层，所述欧姆接触层上镀膜金属覆盖层，沿金属覆盖层、欧姆接触层、外延接触层、上覆盖层制作接近垂直角的脊结构，在脊结构覆盖绝缘层，并覆盖电子阻挡层，绝缘层外侧覆盖P电极，减薄衬底，制作N电极形成激光二极管结构。本实用新型采用ITO作为欧姆接触层，并搭配Pd作为光刻掩模版；利用ITO侧蚀角度更大，结合Pd掩模，形成直角面；可以形成良好的欧姆接触以及接近垂直角的脊结构，达到较好的光学限制效果。
本实用新型一种GaN基激光二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种GaN基激光二极管结构，包括衬底1，其特征在于，衬底1上生长外延层，外延层包括从下至上依次设置的下覆盖层2、下波导层3、量子阱4、上波导层5、电子阻挡层6、上覆盖层7和外延接触层8；外延层上设有欧姆接触层9，所述欧姆接触层9上镀膜金属覆盖层10，沿金属覆盖层10、欧姆接触层9、外延接触层8、上覆盖层7制作接近垂直角的脊结构11，在脊结构11上覆盖绝缘层12，并覆盖电子阻挡层6，绝缘层12外侧覆盖P电极13，减薄衬底1，制作N电极14形成激光二极管结构。
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