无锡市乾野微纳科技有限公司吉炜获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市乾野微纳科技有限公司申请的专利一种MOSFET封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912875U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520346590.7，技术领域涉及：H10W76/63；该实用新型一种MOSFET封装结构是由吉炜设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOSFET生产技术领域，尤其是一种MOSFET封装结构，包括置于PCB板上的封装外壳，以及第一散热件和第二散热件，所述封装外壳由壳体以及基座组成，所述壳体与所述基座之间通过连接件连接固定，并且壳体与基座之间还设有封装芯片的空腔；其中，所述连接件穿设所述封装外壳，并固定所述第一散热件以及所述第二散热件，通过一对散热件的设置能够有效对芯片以及PCB板上堆积的温度进行传导，避免温度过高影响芯片的正常使用，而且通过连接件能够同时对第一散热件和封装外壳进行固定，并且连接件穿设PCB板后还能够对第二散热件进行固定，便于对散热件以及导热片进行拆卸更换。
本实用新型一种MOSFET封装结构在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET封装结构，包括置于PCB板上的封装外壳1，以及第一散热件2和第二散热件3，其特征在于：所述封装外壳1由壳体11以及基座12组成，所述壳体11与所述基座12之间通过连接件4连接固定，并且位于壳体11与基座12之间还设有封装芯片的空腔； 其中，所述连接件4穿设所述封装外壳1，并固定所述第一散热件2以及所述第二散热件3。
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