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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670156B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011082907.9，技术领域涉及：H10P14/692；该发明授权氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法是由深泽笃毅;优财津;陈珮嘉设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法在说明书摘要公布了：一种用于在衬底上形成的阶梯上形成氧化硅膜的方法，其包含：a通过预先选择初始氮化硅膜的目标部分，参照初始氮化硅膜的非目标部分，选择性地沉积或去除或重整产生最终氧化硅膜来设计最终氧化硅膜的拓扑结构；和b根据工艺a中设计的拓扑结构在阶梯的表面上形成初始氮化硅膜和最终氧化硅膜，其中初始氮化硅膜使用含卤素的含硅前体通过ALD来沉积，并且通过氧化初始氮化硅膜将初始氮化硅膜转化为最终氧化硅膜，而不进一步沉积膜，其中初始氮化硅膜中的Si‑N键转化为Si‑O键。

本发明授权氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法在权利要求书中公布了：1. 一种用于在衬底上形成的具有顶面、侧壁和底面的阶梯上形成氧化硅膜的方法，其包含以下工艺： a设计最终氧化硅膜的拓扑结构，所述最终氧化硅膜是保形膜或具有低保形性的膜，通过预先选择初始氮化硅膜的目标部分，参照所述初始氮化硅膜的非目标部分，选择性地沉积或去除或重整产生所述最终氧化硅膜而在所述阶梯上形成，所述选择性沉积的目标部分是在所述阶梯的所述顶面和底面形成的所述初始氮化硅膜的顶部底部部分，所述选择性去除或重整的目标部分是在所述阶梯的所述侧壁上形成的所述初始氮化硅膜的侧壁部分；以及b根据工艺a中设计的拓扑结构在所述阶梯的表面上形成所述初始氮化硅膜和所述最终氧化硅膜，其中所述初始氮化硅膜使用含卤素的含硅前体通过原子层沉积ALD来沉积，并且所述初始氮化硅膜通过氧化所述初始氮化硅膜而转化为所述最终氧化硅膜，而不进一步沉积膜，其中所述初始氮化硅膜中的Si‑N键转化为Si‑O键，在所述初始氮化硅膜的形成之后，在所述初始氮化硅膜的氧化之前对反应空间进行吹扫，并且所述初始氮化硅膜的氧化是在引入氧化气体的反应空间中进行的等离子体氧化，所述氧化气体是选自由O2、O3、CO2、N2O和H2O组成的组中的至少一种气体，其中工艺a中预先选择的目标部分是所述选择性沉积的目标部分，其中工艺b包含： ci在所述衬底上的所述阶梯的表面上沉积氧化硅膜； cii将所述衬底与两个电极平行地放置在所述两个电极之间，以主要在所述阶梯的所述顶面和底面而不是在所述阶梯的所述侧壁上对所述氧化硅膜的表面进行氮化的方式，使用在所述两个电极之间施加RF功率产生的含氮氢等离子体对所述氧化硅膜的表面进行各向异性氮化，从而在所述氧化硅膜的表面上引入‑NH端基； ciii使用所述前体和由在所述两个电极之间施加RF功率产生的等离子体激发的氮化气体，通过ALD在经过表面处理的氧化硅膜上沉积所述初始氮化硅膜的至少一部分并与已经各向异性氮化的所述氧化硅膜接触； civ使用激发的氧化气体对所述初始氮化硅膜的所述至少一部分进行氧化，以获得所述最终氧化硅膜的至少一部分，而不进一步沉积膜，其中所述初始氮化硅膜中的Si‑N键转化为Si‑O键；以及cv根据需要，重复工艺cii和civ，直到获得具有所需厚度的所述最终氧化硅膜。

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