赛卓电子科技(上海)有限公司张超获国家专利权
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龙图腾网获悉赛卓电子科技(上海)有限公司申请的专利一种带防反接H桥驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113162014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110423493.X，技术领域涉及：H02H11/00；该发明授权一种带防反接H桥驱动电路是由张超;汪坚雄;王建国设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带防反接H桥驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带防反接H桥驱动电路，包括电源正极VDD和电源负极GND，防反、控制电平转换及死区控制电路、晶体管NM5和H桥驱动电路，电源正极VDD直接向防反、控制电平转换及死区控制电路供电，并通过防反接作用的晶体管NM5向H桥驱动电路供电，可防电源电压反接，避免反接误操作烧毁芯片，同时防反接电路采用N型MOS管实现，比P型MOS管实现有更小的导通电阻，也节省了芯片面积。
本发明授权一种带防反接H桥驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种带防反接H桥驱动电路，包括电源正极VDD和电源负极GND，其特征在于，还包括防反、控制电平转换及死区控制电路、晶体管NM5和H桥驱动电路，电源正极VDD直接向防反、控制电平转换及死区控制电路供电，并通过防反接作用的晶体管NM5向H桥驱动电路供电； 所述防反、控制电平转换及死区控制电路包括输入CP、输出VRG、第一电阻R1、第二电阻R2、PMOS管PM1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3，电源正极VDD连接至第一电阻R1和第二电阻R2一端，第一电阻R1另一端连接至第三二极管D3的正极、PMOS管PM1的栅极和第二二极管D2的负极；所述第二二极管D2的正极连接至电源负极GND；所述第二电阻R2另一端连接至输出VRG和PMOS管PM1的漏极；所述输入CP连接至第一二极管D1的正极；所述第一二极管D1的负极连接至第三二极管D3的负极和PMOS管PM1的源极； 所述第三二极管D3为PMOS管PM1的栅极防击穿电压； 所述晶体管NM5为起防反作用的NMOS管，当电源VDD和地GND接反时，晶体管NM5为正常的工作方式，但此时栅极电压为低电压，晶体管NM5关断。
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