富士电机株式会社甲斐健志获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113257776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011558639.3,技术领域涉及:H10W70/65;该发明授权半导体装置是由甲斐健志;丸山力宏设计研发完成,并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:本发明提供半导体装置,能够抑制对绝缘电路基板的损伤的产生。在多个电路图案12中的与绝缘板11的外缘部面对的外缘角部R1~R50,与绝缘板11的角部对应的外缘角部R1、R20、R25、R44的曲率小于不与绝缘板11的角部对应的外缘角部R2~R19、R21~R24、R26~R43、R45~R50的曲率。因此,能够缓和对绝缘板11的外缘部产生的热应力。特别地,在绝缘板11的外缘部,能够缓和对角部产生的更大的热应力。因而,能够抑制绝缘电路基板10的损伤的产生,能够防止半导体装置50的可靠性降低。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,具有: 绝缘电路基板,其具有绝缘板和形成于所述绝缘板的正面的多个电路图案,在所述多个电路图案中的与所述绝缘板的外缘部面对的外缘角部中,与所述绝缘板的角部对应的所述外缘角部的曲率小于不与所述绝缘板的角部对应的所述外缘角部的曲率,所述半导体装置还具有半导体芯片,所述多个电路图案包含多个第一电路图案和多个第二电路图案,所述多个第一电路图案配置有所述半导体芯片并且配置于所述绝缘板的内侧,所述多个第二电路图案包含所述外缘角部并且配置于所述绝缘板的外缘部,所述半导体装置还具有: 外部连接端子;以及圆筒状的接触部件,其配置于所述多个第二电路图案,并且供所述外部连接端子压入,配置有所述接触部件的所述多个第二电路图案的外缘角部的曲率半径为所述接触部件的曲率半径以上且将配置有所述接触部件的所述多个第二电路图案的宽度的一半设为半径的曲率半径以下。
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