株式会社电装;国立大学法人大阪大学青木一史获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;国立大学法人大阪大学申请的专利用于SiC衬底的表面处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210565258.0，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权用于SiC衬底的表面处理方法是由青木一史;丸野尚纪;巴赫曼·苏丹尼;加藤裕也;山村和也;杨旭设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于SiC衬底的表面处理方法在说明书摘要公布了：一种用于SiC衬底的表面处理方法，包括以下过程或步骤：在存在电解液S的情况下，通过使电流密度为15mAcm22或更大的电流通过作为阳极的SiC衬底来对SiC衬底的工件表面W1进行阳极氧化；将表面处理垫3的磨轮层32布置成面向工件表面，并且利用磨轮层来选择性地去除通过阳极氧化而形成在工件表面上的氧化物；以及同时或顺序地执行工件表面的阳极氧化以及利用磨轮层对形成在工件表面上的氧化物的选择性去除。
本发明授权用于SiC衬底的表面处理方法在权利要求书中公布了：1.一种处理SiC衬底的表面的方法，包括： 在存在电解液的情况下，通过使电流密度为15mAcm2或更大的周期性脉冲电流通过作为阳极的所述SiC衬底来对所述SiC衬底的工件表面进行阳极氧化，所述周期性脉冲电流具有用于通过电流密度为15mAcm2或更大的电流的开启时间以及用于不通过该电流的关闭时间以维持稳定的阳极氧化状态；以及将表面处理垫的磨轮层布置成面向所述工件表面，并且利用所述磨轮层来选择性地去除通过阳极氧化而形成在所述工件表面上的氧化物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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