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龙图腾网获悉中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请的专利低维材料高通量设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115512793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211150087.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权低维材料高通量设计方法是由魏兴战;文卓群;熊稳设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本低维材料高通量设计方法在说明书摘要公布了：本发明为一种低维材料的高通量设计方法，利用现有晶体结构并进行元素重组，构造结构库进行高通量计算，根据该计算结果筛选优化得到目标材料，其中，包括对结构进行降维处理和或降维计算。本发明通过对结构进行降维处理和或降维计算，解决了现有方法无法对低维材料进行快速高效设计的问题，提高了筛选和预测效率，并提高了设计精确度，可用来进一步设计高性能光电子材料和器件。

本发明授权低维材料高通量设计方法在权利要求书中公布了：1.一种低维材料高通量设计方法，利用现有晶体结构并进行元素重组，构造结构库进行高通量计算，根据计算结果筛选优化得到目标材料，其特征在于，包括对结构进行降维处理和或降维计算，包括如下步骤： 设置待选目标材料的结构通式； 根据所述目标材料的结构通式，获得符合通式的现有晶体结构库； 对所述现有晶体结构库进行重新构造，获得重组晶体结构库； 对所述重组晶体结构库进行降维和优化，并计算包括能带结构、吸收谱以及载流子迁移率的参数，并根据所述参数筛选得到目标材料，其中，计算能带结构包括计算价带电子结构，步骤如下： 获取截断波矢k_control、价带顶的能带条数Num和约化半径R0_red这三个参数； 构造有效质量哈密顿矩阵，并保证该哈密顿矩阵是厄米矩阵； 调用对角化函数eig对哈密顿矩阵进行对角化，得到能带本征值和本征矢量； 利用diag函数提取对角化后哈密顿量的对角线本征值； 对提取的本征值进行排序； 进入下一个波矢循环，直到波矢达到截断波矢k_control，并将计算得到的所有波矢对应的排序本征能量输出，得到价带电子结构； 所述降维包括：沿晶向进行切割，并添加真空层； 沿晶向进行切割，并添加真空层，包括：将三维材料沿晶向进行切割，得到二维晶面，再沿切割晶向添加10 Å‑20 Å的真空层。

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