长鑫存储技术有限公司曹新满获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211294065.2，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构是由曹新满设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，位于第一区域的衬底中形成有多个分立设置的有源区；在衬底上形成堆叠材料层，堆叠材料层包括从下至上分布的介质层和第一半导体层；执行刻蚀工艺，去除部分堆叠材料层及部分衬底，以在第一区域上形成至少一个凹槽，凹槽暴露出部分有源区；形成第二半导体层，第二半导体层至少填充部分凹槽，且第二半导体层的上表面不低于第一半导体层的下表面；执行平坦化工艺，以去除位于第一区域和第二区域的第一半导体层及部分第二半导体层，使得保留下来的第二半导体层的上表面与介质层的上表面齐平。
本发明授权一种半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，制备方法包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，位于第一区域的所述衬底中形成有多个分立设置的有源区；在所述衬底上形成堆叠材料层，所述堆叠材料层包括从下至上分布的介质层和第一半导体层； 执行刻蚀工艺，去除部分堆叠材料层及部分衬底，以在第一区域上形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露出部分所述有源区； 形成第二半导体层，所述第二半导体层至少填充部分所述凹槽，且所述第二半导体层的上表面不低于所述第一半导体层的下表面； 执行平坦化工艺，以去除位于第一区域和第二区域的所述第一半导体层及部分所述第二半导体层，使得保留下来的所述第二半导体层的上表面与所述介质层的上表面齐平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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