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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115577510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211170497.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法是由唐明华;姜诗含;谭啸;李刚设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，包括以下步骤：查询工艺节点的天线效应规则及天线比率；按顺序将工艺节点中的所有缓冲器BUF进行编号，并计算其栅氧化层的面积，然后计算出缓冲器BUF栅氧化层的面积比值；选择违反天线效应的一个工艺节点作为路径，计算出倍数关系N；基于计算出的倍数关系N，对此违反天线效应的路径中的缓冲器BUF进行分析，选择需要替换的缓冲器BUF；将需要替换的缓冲器BUF替换成相应的缓冲器BUF；进行天线效应规则检查，确认是否修复天线违例。本发明单次就能完成该节点的天线效应检查和修改，大幅度压缩检查集成电路的天线效应时所耗费的时间，以使得整个电路设计流程更有效率。

本发明授权一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升单元驱动解决物理设计天线效应的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：根据不同的工艺节点，查询相关工艺节点的天线效应规则及天线比率R； 步骤S2：在相关工艺节点项目中，计算每个工艺节点中的所有缓冲器BUF栅氧化层的面积，并按面积从小到大的顺序将每个工艺节点中的所有缓冲器BUF进行编号，然后计算出设定间隔号序的两个缓冲器BUF栅氧化层的面积比值； 步骤S3：在设计规则检查工具calibre中进行天线效应规则检查，在布局布线工具innovus中先选择违反天线效应的一个工艺节点作为路径，然后计算出违反天线效应的金属层侧面积S1，根据该路径实际天线比率R，得出消除天线效应的最小栅氧化层面积S2，然后将该路径中产生天线效应的缓冲器BUF栅氧化层的面积作为S3，最后计算出S2和S3的倍数关系N； 步骤S4：基于计算出的倍数关系N，对此违反天线效应的路径中的缓冲器BUF进行分析，选择需要替换的缓冲器BUF； 步骤S5：在布局布线工具innovus中将需要替换的缓冲器BUF替换成相应的缓冲器BUF； 步骤S6：在设计规则检查工具calibre中进行天线效应规则检查，如果工具生成的报告中没有此条路径天线效应违反，则确定修复天线违例，反之，则没有修复。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湘潭大学，其通讯地址为：411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘卢家滩27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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