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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种电容测量结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115586377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211238210.5，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种电容测量结构及方法是由刘倩倩;宋永梁;季鸣;曾繁中设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容测量结构及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电容测量结构及方法至少包括：设置在晶圆表面的间隔分布的电容测量模块，各电容测量模块测量对应的待测电容，各电容测量模块均包括沿横向或沿纵向依次相邻的第一支路、第二支路和第三支路；当测量电阻的数量为一个时，测量电阻连接于待测电容的下极板与第二支路之间；当测量电阻的数量为两个时，第二支路包括第一子支路和第二子支路；第一支路与第一子支路之间、第一子支路与第二子支路之间及第二子支路与第三支路之间均设置电容单元；通过在待测电容的极板与支路之间设置测量电阻或测量电阻与电容单元，使待测电容与支路构成RC回路，基于测量电阻测量得到小于皮法级别的待测电容的容值。结构简单，操作方便，应用范围广。

本发明授权一种电容测量结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种电容测量方法，用于测量晶圆内部的待测电容，其特征在于，所述电容测量方法至少包括： 步骤21：将测试设备与电容测量结构中各电容测量模块11逐一连接，对各电容测量模块11对应的待测电容C待测进行测量，当各电容测量模块11对应的测量电阻为两个时，将第一支路111与第一子支路1121接零电位，将第二子支路1122从高电位切换至低电位，通过引出第三支路113的信号，获取第一支路111与第三支路113之间的电位随时间的第一变化曲线；其中，电容测量结构包括设置在晶圆表面的N个间隔分布的电容测量模块11，各所述电容测量模块11测量对应的1个待测电容C待测，各所述电容测量模块11均包括沿横向或沿纵向依次相邻的第一支路111、第二支路112和第三支路113，其中，所述第一支路111、所述第三支路113分别与对应的待测电容C待测的上、下极板连接，N为大于1的自然数；当测量电阻的数量为两个时，所述第二支路112包括第一子支路1121和第二子支路1122，第一测量电阻R11连接于所述待测电容C待测的上极板与所述第一子支路1121之间，第二测量电阻R12连接于所述待测电容C待测的下极板与所述第二子支路1122之间；设置第一电容单元114连接于所述第一支路111与所述第一子支路1121之间；设置第二电容单元115连接于所述第一子支路1121与所述第二子支路1122之间；设置第三电容单元116连接于所述第二子支路1122与所述第三支路113之间； 步骤22：基于第一变化曲线，得到时间常数RC的值，通过第二测量电阻R12得到第一测量电容C测量1的容值，其中，第二子支路1122、第三支路113、第二测量电阻R12、待测电容C待测、第三电容单元116、第二子支路1122与第三支路113之间的寄生电容C寄生223及第一支路111组成RC回路； 步骤23：将第三支路113与第二子支路1122接零电位，将第一子支路1121从高电位切换至低电位，通过引出第一支路111的信号，获取第一支路111与第三支路113之间的电位随时间的第二变化曲线； 步骤24：基于第二变化曲线，得到时间常数RC的值，通过第一测量电阻R11得到第二测量电容C测量2的容值，其中，第一子支路1121、第一支路111、第一测量电阻R11、待测电容C待测、第一电容单元114、第一子支路1121与第一支路111之间的寄生电容C寄生121及第三支路113组成RC回路； 步骤25：将第一支路111与第一子支路1121接零电位，将第三支路113从高电位切换至低电位，通过引出第二子支路1122的信号，获取第一子支路1121与第二子支路1122之间的电位随时间的第三变化曲线； 步骤26：基于第三变化曲线，得到时间常数RC的值，通过第二测量电阻R12得到第三测量电容C测量3的容值，其中，第一子支路1121、第二子支路1122、第三支路113、第二测量电阻R12、第二电容单元115、第三电容单元116、第一子支路1121与第二子支路1122之间的寄生电容C寄生212、第二子支路1122与第三支路113之间的寄生电容C寄生223组成RC回路； 步骤27：将第三支路113与第二子支路1122接零电位，将第一支路111从高电位切换至低电位，通过引出第一子支路1121的信号，获取第一子支路1121与第二子支路1122之间的电位随时间的第四变化曲线； 步骤28：基于第四变化曲线，得到时间常数RC的值，通过第一测量电阻R11得到第三测量电容C测量4的容值，其中，第一支路111、第一子支路1121、第二子支路1122、第一测量电阻R11、第一电容单元114、第二电容单元115、第一子支路1121与第一支路111之间的寄生电容C寄生121、第一子支路1121与第二子支路1122之间的寄生电容C寄生212组成RC回路； 步骤29：测试设备给第一子支路1121和第二子支路1122施加信号，得到第五测量电容C测量5的容值，进一步基于步骤21至步骤28，得到待测电容C待测的容值，其中，C待测＝C测量5+C测量1+C测量2‑C测量3‑C测量422。

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