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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115762607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211385465.4，技术领域涉及：G11C16/12；该发明授权具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法是由童浩;舒雨欢;缪向水设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法：针对温度对存储单元阈值电压以及对关态电流的影响，分别通过字线供电和位线供电进行温度补偿，且在补偿温度对漏电流的影响时，考虑到存储单元的位置不同，关态电流的影响不同，因此，在补偿温度对关态电流的影响时，将存储单元按照位置划分为多个存储块，并将输出电压分为多组，不同的输出电压对应不同的存储块，由此针对不同位置的存储单元进行不同程度的温度补偿。通过本发明，针对关态电流的温度补偿降低了随温度升高而升高的的写操作的失败率；针对阈值电压的温度补偿减轻了温度升高造成的写操作时不必要的功耗浪费和错误的半压开启的几率。

本发明授权具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路，所述三维相变存储器具有呈阵列分布的存储单元，每个存储单元的位置为WLx，BLy，其中，x为对应存储单元的字线位置，y为对应存储单元的位线位置，所有存储单元被划分为N个存储块，不同的存储块中的每个存储单元的x+y值处于不同区间，同一存储块中的每个存储单元的x+y值处于同一的区间，其特征在于，所述写电路包括字线供电电路和位线供电电路，其中，所述字线供电电路的输出电压随温度变化的电压变化系数为，与存储单元的阈值电压随温度变化的电压变化系数相同，用于向待选存储单元提供字线电压； 所述位线供电电路的输出支路串联有N个分压电阻，从每个分压电阻引出一个输出端以得到N个输出端，第i输出端为从第i个分压电阻Ri引出的输出端且对应的第i输出电压为，为从第1个分压电阻R1引出的输出端且对应的第1输出电压，其中，输出电压随温度变化的电压变化系数为且与第i个存储块的位线接收电压随温度变化的电压变化系数的相反数相同，分压电阻的阻值满足，为第1输出电压随温度变化的电压变化系数，第1输出电压随温度变化的电压变化系数受控于前端电路的调节，第i输出电压为用于向第i个存储块中待选存储单元提供位线电压。

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