买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利测量硅通孔三维轮廓的方法、装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115876116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111155704.2，技术领域涉及：G01B11/24；该发明授权测量硅通孔三维轮廓的方法、装置、电子设备和存储介质是由石俊凯;李冠楠;陈晓梅;姜行健;高超;霍树春;刘立拓;董登峰;周维虎设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本测量硅通孔三维轮廓的方法、装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开提出了一种测量硅通孔的三维轮廓的方法，该方法包括：将预设光谱范围内的激光分为第一激光束和第二激光束；将第一激光束照射到硅通孔上得到漫反射光；将第二激光束照射到反射装置上得到反射光；将漫反射光和反射光合为干涉光；将干涉光分为第三激光束和第四激光束；探测第三激光束得到干涉光的光强信号；探测第四激光束得到干涉光的光谱信号；记录光强信号和光谱信号；调整待测样品或反射装置的位置，重复执行将第一激光束照射到硅通孔上的步骤，直至硅通孔的每一待测层的光强信号和光谱信号均被记录；将硅通孔的每一待测层的光强信号和光谱信号输入预先训练完成的机器学习模型，利用机器学习模型计算硅通孔的三维轮廓。

本发明授权测量硅通孔三维轮廓的方法、装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种测量硅通孔的三维轮廓的方法，其特征在于，所述硅通孔位于待测样品上，所述硅通孔包括至少一层待测层，所述方法包括： 将预设光谱范围内的激光分为第一激光束和第二激光束； 对所述第一激光束进行光束整形； 将整形后的所述第一激光束照射到所述硅通孔上，得到漫反射光； 将所述第二激光束照射到反射装置上，得到反射光； 将所述漫反射光和所述反射光合为干涉光； 将所述干涉光分为第三激光束和第四激光束； 探测所述第三激光束，得到所述干涉光的光强信号； 探测所述第四激光束，得到所述干涉光的光谱信号； 记录所述光强信号和所述光谱信号； 调整所述待测样品或所述反射装置的位置，重复执行将所述第一激光束照射到所述硅通孔上的步骤，直至所述硅通孔的每一待测层的光强信号和光谱信号均被记录； 将所述硅通孔的每一待测层的光强信号和光谱信号输入预先训练完成的机器学习模型，利用所述机器学习模型计算所述硅通孔的三维轮廓； 其中，训练所述机器学习模型的方法包括： 获取和存储至少一个待测样品上的硅通孔的每一待测层的光强信号和光谱信号； 从所述每一待测层的光强信号和光谱信号中提取信号特征； 利用所述信号特征训练所述机器学习模型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。