嘉兴阿特斯技术研究院有限公司姚铮获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利异质结电池的制备方法及镀膜设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111254003.4，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权异质结电池的制备方法及镀膜设备是由姚铮;崔巍;吴坚;蒋方丹设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本异质结电池的制备方法及镀膜设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种异质结电池的制备方法及镀膜设备,其中，制备方法包括：获取分别在硅基底两侧表面形成N型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶硅层的半成品电池；先在P型掺杂非晶硅层表面制备第一透明导电层；然后在N型掺杂非晶硅层外侧制备第二透明导电层。通过上述的制备方法，先制备P型掺杂非晶硅层表面的第一透明导电层，以对P型掺杂非晶硅层进行保护，防止在后续的工艺中对P型掺杂非晶硅层产生损伤，进而提升整个异质结电池的转化效率。
本发明授权异质结电池的制备方法及镀膜设备在权利要求书中公布了：1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于： 获取分别在硅基底两侧表面形成N型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶硅层的半成品电池； 先在P型掺杂非晶硅层表面制备第一透明导电层，所述第一透明导电层的制备在第一反应腔内完成，在所述第一反应腔内，靶材承载件设于输送单元的下方； 然后在N型掺杂非晶硅层外侧制备第二透明导电层，所述第二透明导电层的制备在第二反应腔内完成，在所述第二反应腔内，靶材承载件设于输送单元的上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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