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龙图腾网获悉FEI 公司申请的专利用于SEM的简单球面像差校正器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117542712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310994574.4，技术领域涉及：H01J37/153；该发明授权用于SEM的简单球面像差校正器是由A·穆罕默德-盖达里;A·亨斯特拉;L·梅勒设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于SEM的简单球面像差校正器在说明书摘要公布了：本发明涉及用于校正带电粒子显微镜系统中的粒子光学透镜的球面像差的紧凑型校正器，根据本公开，强六极被配置成当向其施加电压时产生强六极场，并且弱六极被定位在该强六极与样品之间。该强六极被定位成使得带电粒子系统的带电粒子束的交叉点不穿过该强六极的中心，使得该强六极场将至少A2像差和D4像差施加到该带电粒子束。该弱六极被进一步定位或以其他方式配置成使得当电压施加到该弱六极上时，其产生弱六极场，该弱六极场将至少组合A2像差和组合D4像差施加到该带电粒子显微镜系统的该带电粒子束。

本发明授权用于SEM的简单球面像差校正器在权利要求书中公布了：1.一种带电粒子显微镜系统，包括： 样品保持器，所述样品保持器被配置成保持样品； 带电粒子源，所述带电粒子源被配置成朝着所述样品发射带电粒子束； 光学柱，所述光学柱被配置成引导所述带电粒子束使得其入射到所述样品上，所述光学柱包括紧凑型校正器模块，所述紧凑型校正器模块包括： 强多极，所述强多极被配置成当第一电压施加到其上时产生强多极场，其中所述强多极被定位成使得所述带电粒子束的交叉点不穿过所述强多极的中心，从而使得所述强多极场将至少A2像差和D4像差施加到所述带电粒子束；和弱多极，所述弱多极被定位在所述强多极与样品平面之间，其中所述弱多极被配置使得当第二电压施加到所述弱多极时其产生弱多极场，所述弱多极场将至少组合A2像差和组合D4像差施加到所述带电粒子束；以及检测器系统，所述检测器系统被配置成检测由被所述带电粒子束照射的所述样品产生的发射，其中，所述紧凑型校正器模块中的强多极的数量仅为一个，其中，所述紧凑型校正器模块除强于所述弱多极的所述强多极之外不包括多极，其中，所述A2像差和所述组合A2像差向所述带电粒子束的组合施加导致所述带电粒子束在所述样品平面处具有期望的A2像差，以及其中，所述D4像差和所述组合D4像差向所述带电粒子束的组合施加导致所述带电粒子束在所述样品平面处具有期望的D4像差。

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