清华大学张建伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉清华大学申请的专利二阶多普勒频移的补偿系统、方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411646086.5，技术领域涉及：H01J49/00；该发明授权二阶多普勒频移的补偿系统、方法和电子设备是由张建伟;郑莹设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本二阶多普勒频移的补偿系统、方法和电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种二阶多普勒频移的补偿系统、方法和电子设备。所述系统包括电流源、控制器和两个平行且共轴设置的载流环，两个所述载流环设置在离子阱两侧，各所述载流环上缠绕有通电线圈；所述电流源连接各所述载流环上缠绕的通电线圈；所述控制器分别和所述电流源通信连接；所述控制器，用于在所述离子阱为多离子体系的情况下，控制所述电流源在两个所述载流环的通电线圈通入流动方向相反的激励电流，以在两个所述载流环圆心连线的中点处产生梯度磁场；所述梯度磁场产生的二阶塞曼频移用于补偿二阶多普勒频移。采用本系统能够使得降低二阶多普勒效应过程变得简单。
本发明授权二阶多普勒频移的补偿系统、方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种二阶多普勒频移的补偿系统，其特征在于，所述系统包括电流源、控制器和两个平行且共轴设置的载流环，两个所述载流环设置在离子阱两侧，各所述载流环上缠绕有通电线圈；所述电流源连接各所述载流环上缠绕的通电线圈；所述控制器分别和所述电流源通信连接；所述载流环包括多个同心设置的子载流环，各所述子载流环的半径不同；其中一个所述子载流环的半径为，两个所述载流环之间的间距为，其中，R为长度； 所述控制器，用于控制所述电流源在两个所述载流环的通电线圈通入流动方向相反的激励电流，以在两个所述载流环圆心连线的中点处产生梯度磁场；所述梯度磁场产生的二阶塞曼频移用于补偿二阶多普勒频移；所述离子阱为多离子体系。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清华大学，其通讯地址为：100084 北京市海淀区清华园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励