深圳平湖实验室崔新春获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体功率器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511767655.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种半导体功率器件及其制备方法、电子设备是由崔新春;胡浩林;张道华设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体功率器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体功率器件及其制备方法、电子设备，通过在SiC衬底上外延生长单晶金刚石外延层，一方面可以降低SiC器件的导通电阻，另一方面可以增加SiC器件的散热效果，使SiC器件具有较好的热稳定性，有效解决了传统SiC器件的散热差问题，提升了SiC器件的工作效率，且制备工艺简单。并且，单晶金刚石外延层是在金属铱膜层的表面外延生长，相比于直接在SiC衬底表面外延生长单晶金刚石，本公开可以提高单晶金刚石外延层的外延质量，提高器件的性能。
本发明授权一种半导体功率器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括： SiC衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面具有间隔设置的第一导电沟道区和第二导电沟道区； 钇稳定氧化锆层，位于所述SiC衬底的第二表面； 金属铱膜层，位于所述钇稳定氧化锆层远离所述SiC衬底的一侧； 单晶金刚石外延层，位于所述金属铱膜层远离所述SiC衬底的一侧；所述单晶金刚石外延层远离所述SiC衬底的一侧包括导电终端区； 第一源极，位于所述第一导电沟道区远离所述单晶金刚石外延层的一侧； 第一漏极，位于所述第二导电沟道区远离所述单晶金刚石外延层的一侧； 第二源极和第二漏极，间隔设置于所述导电终端区远离所述SiC衬底的一侧； 栅介质层，覆盖所述第二源极和所述第二漏极之间的所述导电终端区以及覆盖部分所述第二源极和部分所述第二漏极； 栅电极，位于所述栅介质层远离所述SiC衬底的一侧。
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