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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121311042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511872279.7，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔是由裴凯;王兆祥;梁洁;王晓雯;刘少康;曾子菱;叶武锦;孟炜祁设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔，包括：在衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体的等离子体，对衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的通孔内壁和光刻胶掩膜上形成第一聚合物层进行保护；执行第二刻蚀步骤，使用第二气体的等离子体，对内壁底部上的第一聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，露出下方的衬底，以再次进行第一刻蚀；每完成第一预设次数的第一刻蚀步骤后，对形成中的通孔执行处理工艺；重复执行第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤和处理工艺，直至在衬底上形成通孔。本申请能简化工艺，提高选择比，提高效率，实现更好的侧壁光滑度。

本发明授权高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比玻璃通孔的制备方法，其特征在于，包括： 提供玻璃材料的衬底； 在所述衬底的表面上形成多个光刻胶掩膜，相邻两个所述光刻胶掩膜之间具有第一开口； 执行刻蚀工艺，对在所述第一开口中露出的所述衬底的表面进行刻蚀，在所述衬底上形成通孔； 其中，所述刻蚀工艺包括依次按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的多个周期性循环刻蚀步骤； 所述第一刻蚀步骤使用滤除了带电粒子的第一气体的等离子体，对所述衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的所述通孔的内壁和所述光刻胶掩膜上形成第一聚合物层，以在进行第一刻蚀时，对所述内壁和所述光刻胶掩膜进行保护； 所述第二刻蚀步骤使用第二气体的等离子体，对所述内壁底部上的所述第一聚合物层进行各向异性的第二刻蚀，在所述底部上形成第二开口，并露出所述衬底，以通过所述第二开口再次进行所述第一刻蚀； 其中，在每完成第一预设次数的所述周期性循环刻蚀步骤中的所述第一刻蚀步骤后，都对形成中的所述通孔执行一次处理工艺，以提高侧壁光滑度； 其中，所述第一气体为碳氟比大于或等于1:3的第一碳氟类气体，所述第二气体为氯基气体。

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