中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心李杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心申请的专利一种基于LTCC基板的SOC一体化封装结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111361738.7，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权一种基于LTCC基板的SOC一体化封装结构及制造方法是由李杰;王会;何荣云;车勤设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于LTCC基板的SOC一体化封装结构及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于LTCC基板的SOC一体化封装结构及制造方法，该封装结构包含一个引脚数量在600以上的系统级芯片SOC，采用低温共烧陶瓷LTCC作为封装载体基板，基板中设置多层空腔，SOC芯片采用导电胶粘接在空腔中，利用高纯度金线进行SOC芯片与封装基板的互连。多层陶瓷基板内部布设有金属化通孔和导体将SOC芯片的输入输出端与基板背面的引线互连，基板背面植有焊锡球形成球栅阵列BGA。本发明实现了大规模SOC芯片的一体化封装，具有较高的封装密度，封装体积较小，可以承受较高的过载。本发明采用3层空腔,4层键合区布局，键合线交错布置，实现大规模细间距芯片小尺寸封装。
本发明授权一种基于LTCC基板的SOC一体化封装结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于LTCC基板的SOC一体化封装结构，其特征在于，包括带有多层空腔的LTCC基板以及金属围框形成的一体化封装壳体，SOC芯片采用导电胶粘接在底层空腔正中，所述金属围框焊接在成膜基板上，所述基板内部布设有金属化通孔，所述SOC芯片的输入输出端通过键合线与基板通孔互连； 所述基板内设置3层空腔，所述基板与其内的空腔从上到下形成1、2、3、4层； 所述SOC芯片的键合区为双层排列，SOC芯片内侧键合区与基板1层、2层互连，外侧键合区与基板3层、4层互连； 与基板4层键合区相连的键合线弧高最低，其余键合线依次升高； 所述基板背面植有焊锡球形成球栅阵列。
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