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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利光调制电子源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080061976.3，技术领域涉及：H01J37/065；该发明授权光调制电子源是由E·加西亚贝里奥斯;J·约瑟夫·阿姆斯特朗;银英·肖-李;J·费尔登;勇-霍·亚历克斯·庄设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本光调制电子源在说明书摘要公布了：一种光调制电子源利用光子束源来调制从硅基场发射器发射的电子束的发射电流。所述场发射器的阴极包含突出部，所述突出部经制造于硅衬底上且具有由涂层覆盖的发射尖端。提取器产生电场，所述电场将自由电子吸引朝向所述发射尖端以用于作为所述电子束的部分发射。所述光子束源产生包含具有大于硅的能带隙的能量的光子的光子束，且包含将所述光子束引导到所述发射尖端上的光学器件，其中每一经吸收的光子产生光电子，所述光电子与所述自由电子组合以增强所述电子束的发射电流。控制器通过控制施加到所述发射尖端的所述光子束的强度而调制所述发射电流。监测器测量所述电子束且提供反馈到所述控制器。

本发明授权光调制电子源在权利要求书中公布了：1.一种光调制电子源，其包括： 场发射器阴极，其包含：硅衬底，其具有相对的第一表面及第二表面；及发射器突出部，其具有一体地连接到所述硅衬底的基底、从所述第一表面延伸的主体部分及安置于所述主体部分的远端处的发射尖端； 电极，其邻近于所述场发射器阴极固定地定位且经配置以产生电场，所述电场将所述硅衬底中的自由电子吸引朝向所述发射尖端； 光子束源，其经配置以产生包含具有短于约1µm的波长的光子的光子束，且经配置以将所述光子束引导到所述发射器突出部上，使得所述光子的至少一些由所述场发射器阴极吸收； 控制电路，其经配置以通过控制从所述光子束源传输且由所述场发射器阴极接收的所述光子束的强度而调制包含从所述发射尖端发射的电子的电子束的发射电流；及 电介质层邻近于所述场发射器突出部安置于所述第一表面上， 其中所述电极包括：提取器，其安置于所述电介质层上且相对于所述场发射器阴极维持于约30V与约200V之间的正电压；及阳极，其安置在距所述发射尖端至少1mm的偏移距离处，且相对于所述场发射器阴极维持于至少500V的正电压，且其中所述控制电路经配置以控制所述光子束源，使得所述光子束在第一时间段期间以第一强度产生且在第二时间段期间以第二强度产生，所述第二强度高于所述第一强度。

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