台湾晶技股份有限公司彭子修获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾晶技股份有限公司申请的专利谐振器封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210022254.8，技术领域涉及：H03H9/05；该发明授权谐振器封装结构是由彭子修;罗韦晨;林宗德设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振器封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种谐振器封装结构，其包括基座、谐振晶体片与顶盖，谐振晶体片包括谐振区与优化区。优化区具有互相平行的第一侧与第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区可具有至少一个圆角，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间，优化区的底面的高度可高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度可低于谐振区的顶面的高度。优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于A，0A5，圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于B，0B4。
本发明授权谐振器封装结构在权利要求书中公布了：1.一种谐振器封装结构，其特征在于，包括： 一基座； 一谐振晶体片，包括： 一谐振区，呈一矩形； 至少一个优化区，所述至少一个优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，所述第一侧垂直所述第三侧，所述至少一个优化区的所述第一侧连接所述谐振区的一侧，其中所述至少一个优化区具有至少一个圆角，所述至少一个圆角连接于所述第二侧与其对应的所述第三侧之间，所述至少一个优化区的底面的高度高于所述谐振区的底面的高度，所述至少一个优化区的顶面的高度低于所述谐振区的顶面的高度，所述至少一个优化区的所述第一侧与所述第二侧之间的长度除以所述谐振区的厚度等于A，0A5，所述至少一个圆角的曲率半径除以所述谐振区的所述厚度等于B，0B4； 一边框区，设于所述基座上，其中所述边框区环绕所述谐振区与所述至少一个优化区；以及 两个连接区，连接于所述边框区与所述至少一个优化区之间，并与所述至少一个圆角相离；以及 一顶盖，设于所述边框区上，以遮蔽所述至少一个优化区、所述两个连接区与所述谐振区。
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