中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司渠汇获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011595341.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由渠汇;唐睿智;尹鹏;吉利设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有栅极开口，栅极开口横跨鳍部，并露出鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极开口侧壁和鳍部侧壁形成填充层，填充层用于填充栅极开口侧壁和鳍部侧壁的拐角处；去除位于栅极开口侧壁和鳍部侧壁的填充层；去除位于栅极开口侧壁和鳍部侧壁的填充层后，在栅极开口内形成栅极结构。本发明实施例通过形成填充层，以填充所述栅极开口侧壁和所述鳍部侧壁的拐角处，使得所述栅极开口靠近所述鳍部侧壁的部分的线宽尺寸与远离所述鳍部侧壁的部分的线宽尺寸相近，从而使得形成的所述栅极结构的线宽尺寸均一性较高。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部； 层间介质层，位于所述基底上； 栅极开口，位于所述层间介质层中，所述栅极开口横跨所述鳍部，并露出所述鳍部的部分顶部和部分侧壁； 填充层，填充于所述栅极开口侧壁和所述鳍部侧壁的拐角处的凹陷中； 栅极结构，位于所述填充层露出的剩余栅极开口中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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