长江先进存储产业创新中心有限责任公司杨红心获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利超晶格相变结构及其制造方法、相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210409959.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权超晶格相变结构及其制造方法、相变存储器是由杨红心;周凌珺;刘峻设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本超晶格相变结构及其制造方法、相变存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种超晶格相变结构及其制造方法、相变存储器，其中，所述超晶格相变结构，包括：交替堆叠设置的相变材料层和热阻挡层；所述相变材料层的材料的化学通式为SbxxTe1‑x1‑x，且0.7≤x＜1；所述热阻挡层的材料包括钛副族碲化物。
本发明授权超晶格相变结构及其制造方法、相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种超晶格相变结构，其特征在于，包括： 多个周期叠层；所述周期叠层包括层叠设置的补充相变材料层、热阻挡层和相变材料层；所述补充相变材料层的材料包括GeTe；所述相变材料层的材料的化学通式为SbxTe1-x，且0.7＜x＜1；所述热阻挡层的材料包括碲化钛、碲化锆或碲化铪中的至少一种；其中，所述相变材料层包括堆叠设置的子相变材料层和晶种材料层；所述晶种材料层设置在所述热阻挡层上，所述晶种材料层的材料包括Sb；所述子相变材料层设置在所述晶种材料层上，所述子相变材料层的材料包括Sb2Te3、Sb7Te3或者其它Sb占比更高的碲锑化合物； 所述相变材料层中还包括掺杂元素；所述掺杂元素包括非金属材料元素；所述相变材料层的材料的化学通式为SbxTe1x1yRy，R包括非金属材料元素，且0.7＜x≤0.9,0＜y≤0.1；所述非金属材料元素包括碳、氮、硅、氧中的至少一种元素。
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