中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975605B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110205686.8，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底上的鳍部，衬底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，第一器件的沟道宽度小于第二器件的沟道宽度；隔离层，位于鳍部露出的衬底上且覆盖鳍部的部分侧壁；器件栅极结构，位于隔离层上且横跨鳍部，器件栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；鳍部侧墙，位于第一区域中的器件栅极结构下方，鳍部侧墙覆盖隔离层露出的鳍部的部分侧壁。本发明在鳍部侧墙的作用下，使第一区域中受器件栅极结构控制的鳍部高度变小，第一区域的鳍部的有效沟道宽度相应变小，从而实现第一器件和第二器件具有不同沟道宽度的效果，提高了调节器件有效沟道宽度的灵活性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部，所述衬底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的沟道宽度小于所述第二器件的沟道宽度； 隔离层，位于所述鳍部露出的衬底上且覆盖所述鳍部的部分侧壁； 器件栅极结构，位于所述隔离层上且横跨所述鳍部，所述器件栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁； 鳍部侧墙，位于所述第一区域中的器件栅极结构下方，所述鳍部侧墙覆盖所述隔离层露出的鳍部的部分侧壁，所述鳍部侧墙包括残余伪栅结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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