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龙图腾网获悉联芸科技(杭州)股份有限公司申请的专利电压检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115201542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110384641.1，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权电压检测电路是由何飒;黄怡仁;陈胜宇设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本电压检测电路在说明书摘要公布了：公开了一种电压检测电路，包括：输入模块，用于接收待测电压；控制模块，与所述输入模块连接，用于根据所述待测电压输出控制信号；输出模块，与所述控制模块连接，用于根据所述控制信号选择供电电压和接地电压中的一个作为测试电压，其中，所述测试电压的大小表征待测电压的大小。本申请的电压检测电路，使用的器件数量少，结构简单，不需要额外的偏置电路就可以实现较高精度的电压比较。

本发明授权电压检测电路在权利要求书中公布了：1.一种电压检测电路，用于判断待测电压为第一电压或第二电压，其特征在于，包括： 输入模块，用于接收待测电压，所述待测电压为第一电压和第二电压中的一种； 控制模块，与所述输入模块连接，用于根据所述待测电压输出控制信号； 输出模块，与所述控制模块连接，用于根据所述控制信号选择供电电压和接地电压中的一个作为测试电压， 其中，所述测试电压的大小表征待测电压的大小， 所述输入模块包括第一NMOS管，所述控制模块包括第一PMOS管，所述输出模块包括第二PMOS管和第二NMOS管，其中， 所述第一PMOS管的源极与供电电压连接，栅极与所述第二PMOS管的漏极连接，漏极与所述第一NMOS管的漏极连接； 所述第二PMOS管的源极与供电电压连接，栅极与所述第一PMOS管的漏极连接，漏极与所述第一PMOS管的栅极连接； 所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接，栅极与所述待测电压连接，源极与第二参考电压连接； 所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，栅极与第一参考电压连接，源极与接地端连接， 所述第一参考电压和所述第二参考电压选自SOC，所述第一参考电压用于使第二NMOS管保持导通，且所述第一参考电压大于所述第二NMOS管的阈值电压，所述SOC为片上集成系统； 所述第二参考电压Vref2满足：V2-VthMN1＜Vref2＜V1-VthMN1，其中，V1表示第一电压，V2表示第二电压，VthMN1表示第一NMOS管的阈值电压，其中，所述第一电压大于所述第二电压。

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