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龙图腾网获悉北京华科仪科技股份有限公司;北京华科仪环保工程有限公司申请的专利一种用于化学发光仪的校准系统及校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120721710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511105603.2，技术领域涉及：G01N21/76；该发明授权一种用于化学发光仪的校准系统及校准方法是由李擎;吕洪震;李方玲;边宝丽;侯广生;蔺博勇;张治国;樊俊民;付发明设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于化学发光仪的校准系统及校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于化学发光硅酸根分析仪的校准方法，包括：S1，进行单点校准，包括：制备指定浓度的硅酸根标准溶液，并获取原始信号值；S2，通过多校准阶段对化学发光仪进行校准；S1包括：抽取体积X11的硅酸根标准溶液，浓度为C00ugL；抽取体积X22的超纯水；混合形成指定浓度的标准溶液；送入化学发光仪并依次添加药剂A和药剂B；等待后添加药剂C，得到测量电压V11；S2包括：第一校准阶段，判断V11是否处于一定范围内，若是则进入第二校准阶段；若不是则调整直至符合；第二校准阶段，取无硅水得到测量电压V22；取其他浓度的硅酸根标准溶液得到测量电压V33；判断是否|V11‑V33|‑|V33‑V22|≤电压定值阈值？若符合则进入第三校准阶段；若不符进入第四校准阶段；完成校准。

本发明授权一种用于化学发光仪的校准系统及校准方法在权利要求书中公布了：1.一种用于化学发光硅酸根分析仪的校准方法，其特征在于，包括： S1，进行单点校准，包括：制备指定浓度的硅酸根标准溶液，并基于所述指定浓度的硅酸根标准溶液获取原始信号值； S2，基于所述单点校准，通过多校准阶段对化学发光仪进行校准； 所述S1包括： S11，定量抽取体积X1的硅酸根标准溶液，其中所述体积X1的硅酸根标准溶液的浓度为C0ugL； S12，定量抽取体积X2的超纯水，其中，满足X1+X2≥体积阈值，且； S13，将所述硅酸根标准溶液与所述超纯水进行混合和充分搅拌后形成充分混合后的所述指定浓度的标准溶液； S14，将充分混合后的所述指定浓度的标准溶液送入化学发光仪中，并依次添加第一体积的药剂A和第二体积的药剂B； S15，等待反应数十秒后添加第三体积的药剂C，检测得到所述指定浓度的硅酸根标准溶液对应的测量电压V1； 所述药剂A为2％钼酸铵；所述药剂B为4％稀硫酸，所述药剂C为碱性发光剂； 所述S2包括： S21，基于进入第一校准阶段，判断V1是否处于阈值区间范围内，若V1处于阈值区间范围内，则进入第二校准阶段；若V1不处于阈值区间范围内，则调整所述指定浓度直至V1符合所述阈值区间范围； S22，基于进入第二校准阶段，取无硅水进入化学发光仪测量，得到对应的测量电压V2；取测量区间内任一与所述指定浓度不同的其他浓度的硅酸根标准溶液进入化学发光仪测量，得到对应的测量电压V3；此时判断是否|V1-V3|-|V3-V2|≤电压定值阈值；若符合|V1-V3|-|V3-V2|≤电压定值阈值，则进入第三校准阶段，所述第三校准阶段为线性校准；若不符合|V1-V3|-|V3-V2|≤电压定值阈值，则进入第四校准阶段； S23，基于进入第三校准阶段，进行线性校准； S24，基于进入第四校准阶段，进行多项式校准； S25，基于完成所述线性校准或所述多项式校准完成对化学发光仪的校准。

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