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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120835586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511326255.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用是由赵昱达;张天娇设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用，该晶体管可以利用自身的物理特性在单个器件中同时实现光传感器、存储、突触、逻辑。其结构自上而下包括源极及漏极、控制栅极、沟道层、铁电栅层、氧化层、衬底。沟道层采用二维过渡金属硫化物半导体材料，铁电栅层采用二维铁电半导体材料，源极和漏极分别位于二维半导体沟道的两层，控制栅极在铁电栅层正上方。本发明通过提供的一种铁电半导体结型场效应晶体管的制备方法及应用，能将光信号传感、数据存储、突触计算和自切换的逻辑功能集成在单个晶体管中，突破传统器件功能分立局限，为高密度集成可重构电子器件提供新路径，有效平衡结构复杂度与功能密度。

本发明授权一种铁电半导体结型场效应晶体管、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种铁电半导体结型场效应晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、控制栅极、沟道层、铁电栅层、绝缘隔离层及衬底； 所述绝缘隔离层覆盖于衬底表面，所述铁电栅层设置于绝缘隔离层上方，所述沟道层与铁电栅层层叠形成纵向异质结结构；所述沟道层采用二维过渡金属硫化物半导体材料，具体为MoTe2； 所述铁电栅层采用二维铁电半导体材料，具体为In2Se3,厚度为40至80nm；所述In2Se3的铁电矫顽场电压范围为-3.5V~3V； MoTe2材料通过PDMS精准转移至铁电栅层In2Se3表面； 所述控制栅极设置于铁电栅层的一端，用于施加栅极电压以调控铁电层的极化状态，所述源极和漏极分别设置于沟道层的两端，形成载流子注入与收集的通路； 所述铁电半导体结型场效应晶体管作为存储器、异突触器件或实现自切换逻辑的应用， 所述铁电半导体结型场效应晶体管作为存储器的应用中通过衬底施加±20V、持续5s的编程电脉冲，切换铁电栅层的极化方向； 所述异突触器件将源极和漏极作为突触后电流的读取端，衬底作为突触权重的调制端施加编程栅压脉冲； 所述铁电半导体结型场效应晶体管实现自切换逻辑的中先通过衬底施加±20V、5s电脉冲预编程铁电栅层极化方向；将衬底栅压作为INA端口，将控制栅极电压作为INB端口，沟道层的电流作为输出：INA在0.5V和0V时为分别1和0，INB在0V和−3V时分别为1和0。

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