山东大学李阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种ε-Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120844192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511189294.1，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种ε-Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法是由李阳;徐梦凡;岳林凯;赵馨蕊;穆文祥;贾志泰设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ε-Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于宽禁带半导体技术制备技术领域，公开了一种εε‑Ga22O33薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法，包括如下步骤：将洁净预处理的衬底加热至550‑610℃，并向其中通入载气和稀释气体的混合气体设定时间，外延低掺εε‑Ga22O33薄膜；生长结束后，将反应腔内温度加热至620‑700℃，外延高掺εε‑Ga22O33薄膜。双层结构与掺杂相结合，以缓解晶格失配，促进εε‑Ga22O33的形成。Ge掺杂过程中，Ge4+4+成功替代Ga3+3+导致晶格常数变小，进而缓解薄膜压应力，使得εε‑Ga22O33外延膜的晶体质量有所提升。
本发明授权一种ε-Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ε-Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 将洁净预处理的衬底加热至550-610℃，并向其中通入载气和稀释气体的混合气体设定时间，然后将Ge掺杂浓度为1-5%的低掺杂氧化镓前驱体溶液雾化加入，外延低掺ε-Ga2O3薄膜； 生长结束后，将反应腔内温度加热至620-700℃，保持气氛不变，将Ge掺杂浓度为5-8%的高掺杂氧化镓前驱体溶液雾化加入，外延高掺ε-Ga2O3薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：250000 山东省济南市历城区山大南路27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励