合肥晶合集成电路股份有限公司胡志豪获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120954966B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511478213.X，技术领域涉及：H10P76/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由胡志豪;王星;徐锐设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括基底和位于所述基底上的光阻结构，所述光阻结构包括暴露所述基底的开口，所述开口包括靠近所述基底一侧的第一部分和远离所述基底一侧的第二部分，沿垂直射入所述基底的表面的方向上，所述第一部分的宽度不变，所述第二部分的宽度逐渐减小，且所述第二部分的最小宽度与所述第一部分的宽度相等。本申请减少或避免后续进行的湿法刻蚀过程中出现刻蚀剂残留的问题，从而有效减少或避免了所述开口暴露的基底表面产生污染或损伤的概率，进而有助于提升半导体器件的性能和稳定性。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 光阻结构，位于所述基底上，所述光阻结构包括暴露所述基底的开口，所述开口包括靠近所述基底一侧的第一部分和远离所述基底一侧的第二部分，沿垂直射入所述基底的表面的方向上，所述第一部分的宽度不变，所述第二部分的宽度逐渐减小，且所述第二部分的最小宽度与所述第一部分的宽度相等，所述第一部分的高度与所述第二部分的高度之间的比值范围包括1:15~5:32，且所述第一部分的高度范围包括2kÅ~6kÅ，所述第二部分的侧壁的倾斜角度范围包括15°~30°，所述倾斜角度为所述第二部分的侧壁和平行于所述基底的表面方向上的夹角的角度； 所述基底包括层叠设置的衬底和栅氧化层，所述光阻结构设于所述栅氧化层上，且所述开口暴露所述栅氧化层，所述光阻结构用于所述栅氧化层的湿法刻蚀工艺。
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