深圳市欣冠精密技术有限公司闵蕾获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市欣冠精密技术有限公司申请的专利一种手机壳体的激光雕刻设备平板雕刻控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121276948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511841791.5,技术领域涉及:G05B11/42;该发明授权一种手机壳体的激光雕刻设备平板雕刻控制方法是由闵蕾;王晨设计研发完成,并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种手机壳体的激光雕刻设备平板雕刻控制方法在说明书摘要公布了:本申请涉及激光雕刻技术领域,具体涉及一种手机壳体的激光雕刻设备平板雕刻控制方法,用于解决现有技术中对曲面壳体的雕刻精度较低的技术问题。该方法包括:确定手机壳体的曲面雕刻区域;确定曲面雕刻区域中雕刻点位的惯性误差指标及雕刻点位的焦距调整置优度;其中,惯性误差指标用于表征雕刻点位受惯性力引起的实际位置偏差程度;焦距调整置优度用于表征激光雕刻设备适应曲面高程变化时,维持激光束聚焦精度的能力;根据惯性误差指标及雕刻点位的焦距调整置优度,确定雕刻点位的雕刻速率需求度;雕刻速率需求度用于表征雕刻点位对激光雕刻速率调整的需求程度;根据雕刻速率需求度,通过PID控制器调整激光雕刻设备的雕刻速率。
本发明授权一种手机壳体的激光雕刻设备平板雕刻控制方法在权利要求书中公布了:1.一种手机壳体的激光雕刻设备平板雕刻控制方法,其特征在于,所述方法包括: 确定手机壳体的曲面雕刻区域; 确定所述曲面雕刻区域中雕刻点位的惯性误差指标及所述雕刻点位的焦距调整置优度;其中,所述惯性误差指标用于表征所述雕刻点位受惯性力引起的实际位置偏差程度;所述焦距调整置优度用于表征激光雕刻设备适应曲面高程变化时,维持激光束聚焦精度的能力; 根据所述惯性误差指标及所述雕刻点位的焦距调整置优度,确定所述雕刻点位的雕刻速率需求度;所述雕刻速率需求度用于表征所述雕刻点位对激光雕刻速率调整的需求程度; 根据所述雕刻速率需求度,通过PID控制器调整激光雕刻设备的雕刻速率。
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